特許

J-GLOBAL ID：201003059209256755

レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-045645
公開番号（公開出願番号）：特開2010-197940
出願日： 2009年02月27日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：

【課題】レジストパターンに生じるラフネスを低減して良好な形状を有するパターン形成方法を実現できるようにする。【解決手段】基板101の上にレジスト膜102を形成し、形成したレジスト膜102に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜102を加熱し、加熱されたレジスト膜102に対して現像を行って、レジスト膜102からレジストパターン102aを形成する。レジスト膜102を構成するレジスト材料には、イオン性の光酸発生剤と、酸脱離基と親水性基とを含む第1のポリマーと、第1のポリマーと比べて光酸発生剤に対する親和性が小さい分子又は第2のポリマーとを含んでいる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

イオン性の光酸発生剤と、 酸脱離基と親水性基とを含む第1のポリマーと、 前記第1のポリマーと比べて前記光酸発生剤に対する親和性が小さい分子又は第2のポリマーとを含むことを特徴とするレジスト材料。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/38 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/38 501 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R

Fターム (28件)：

2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF03 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096JA02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-311708   出願人：東京応化工業株式会社