特許

J-GLOBAL ID：201003059428224664

半導体装置のゲート駆動回路及びそれを用いた電力変換装置

発明者： 小川 正則 ,  松城 英夫 ,  福榮 貴史
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 内藤 浩樹 ,  永野 大介 ,  藤井 兼太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-162652
公開番号（公開出願番号）：特開2010-051165
出願日： 2009年07月09日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

【課題】部品点数の少ない簡易な回路構成で高速で低損失な半導体装置のゲート駆動回路を提供すること。【解決手段】伝導度変調効果を有するゲート駆動型半導体素子の駆動回路において、容量105と抵抗器104を並列にしたゲート駆動回路をゲートとスイッチング出力回路101間に挿入し、半導体装置のゲート入力容量106と容量105との電圧分割により、半導体素子のオン閾値電圧以上の電圧をゲート端子に印加することで高速のオン動作をし、伝導度変調を維持するのに必要な電流をゲート回路の抵抗器を介して流す。これによって、半導体素子のゲート容量を積極的に利用し、部品点数の少ない簡易な回路構成で高速で低損失な半導体装置のゲート駆動回路を提供することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

閾値電圧以上のゲート電圧を印加することでオンし、閾値以下の電圧でオフ動作し、かつオン時にゲートからチャネルにキャリヤを注入することで伝導度変調効果を有するゲート駆動型半導体素子を用いて、 容量と抵抗器の並列回路をゲートとスイッチング制御回路出力間に挿入し、前記半導体素子のゲート容量Cisと前記容量Cgとの関係を (オン時のスイッチング制御回路出力電圧)×(Cg/(Cg+Cis))≧(閾値電圧) とし、前記ゲート駆動回路の抵抗器はゲート駆動型半導体素子のゲートへ伝導度変調に見合った電流を供給することを特徴する半導体装置のゲート駆動回路。

IPC (1件)：

H02M 1/08

FI (1件)：

H02M1/08 A

Fターム (7件)：

5H740AA05 ,  5H740BA12 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740HH07 ,  5H740JA01 ,  5H740KK01