特許

J-GLOBAL ID：201003059909679789

半導体レーザ素子

発明者： 佐々木 博康 ,  有本 英生
出願人/特許権者： 日本オプネクスト株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-086833
公開番号（公開出願番号）：特開2010-239007
出願日： 2009年03月31日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：

【課題】レーザ共振器部と光増幅器部とを備える半導体レーザ素子であって、光増幅器の動作状態の切り替えにより生じるレーザ共振器の発振波長のゆらぎを抑制する半導体レーザのゆらぎを抑制する波長安定性の高い半導体レーザ素子の提供。【解決手段】光増幅器のレーザ共振器側の端部を取り囲む領域に、発熱体を形成させる。光増幅器が遮断状態にあるとき、発熱体を発熱させることにより、レーザ共振器の光増幅器側の端部の温度分布を、光増幅器が増幅状態にあるときに近づける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

レーザ光を出射するレーザ共振器部と、 前記レーザ共振器部の出射側に位置する光増幅器部と、 を備える半導体レーザ素子であって、 前記レーザ共振器部の前記光増幅器側の端部は、入力される制御信号に応じた波長の光を通すフィルタとして機能する部分を含み、 前記光増幅器部の前記レーザ共振器部側の端部を取り囲む領域の少なくとも一部に、少なくとも1つの発熱体が配置される、 ことを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/068 ,  H01S 5/026

FI (2件)：

H01S5/068 ,  H01S5/026 610

Fターム (16件)：

5F173AB04 ,  5F173AD30 ,  5F173AR03 ,  5F173AR06 ,  5F173AR14 ,  5F173AR99 ,  5F173AS10 ,  5F173SA03 ,  5F173SA06 ,  5F173SA26 ,  5F173SC02 ,  5F173SE01 ,  5F173SF33 ,  5F173SF43 ,  5F173SF47 ,  5F173SF72