特許
J-GLOBAL ID：201003059940417997
半導体パッケージ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-180760
公開番号（公開出願番号）：特開2010-021374
出願日： 2008年07月10日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：
【課題】 金型を用いたプレス打ち抜きによってスリットが設けられる構造で、かつ放熱性に優れたリードを備えたフリップチップ実装用の半導体パッケージを提供する。【解決手段】 この半導体パッケージ10は、電気的接続用の下面電極を有する半導体素子11と、前記下面電極と接続された状態で前記半導体素子11がフリップチップ実装されるリード16とを有するものであって、銅または銅合金または鉄合金からなる条材21または板材26に板厚を予め他の部分よりも薄くした溝部18が形成され、前記溝部18に当該溝部18の幅よりも小さい幅のスリット17が設けられて、当該スリット17で分離された前記溝部18がそれぞれ前記リード16となっており、前記スリット17を跨ぐようにして前記半導体素子11が実装されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電気的接続用の下面電極を有する半導体素子と、前記下面電極と接続された状態で前記半導体素子がフリップチップ実装されるリードとを有する半導体パッケージであって、
銅、銅合金または鉄合金からなる条材または板材に板厚を予め他の部分よりも薄くした溝部が形成され、前記溝部に当該溝部の幅よりも小さい幅のスリットが設けられて、当該スリットで分離された前記溝部がそれぞれ前記リードとなっており、前記スリットを跨ぐようにして前記半導体素子が実装されている
ことを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA33
, 5F041AA42
, 5F041DA12
, 5F041DA19
, 5F041DA33
, 5F041DA35
