特許

J-GLOBAL ID：201003059964008117

光電変換素子、その製造方法、それに用いられる陽極酸化基板及び太陽電池

発明者： 垣内 良蔵
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-078385
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232427
出願日： 2009年03月27日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：

【課題】陽極酸化基板を用いた光電変換素子において、陽極酸化基板にアルカリ金属をドープすることを可能とする。【解決手段】Alを主成分とする金属基材11の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜12が形成された陽極酸化基板10上に、下部電極20、光電変換層30および上部電極50の積層構造を有する光電変換素子1において、陽極酸化基板10が、陽極酸化膜12に少なくとも1種のアルカリ金属がドープされたものとする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

Alを主成分とする金属基材の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板上に、下部電極、光電変換層および上部電極の積層構造を有する光電変換素子において、 前記陽極酸化基板は、前記陽極酸化膜に少なくとも1種のアルカリ金属がドープされたものであることを特徴とする光電変換素子。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (8件)：

5F051AA10 ,  5F051GA02 ,  5F051GA11 ,  5F051GA20 ,  5F151AA10 ,  5F151GA02 ,  5F151GA11 ,  5F151GA20