特許

J-GLOBAL ID：201003060127424356

ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法

発明者： 森 貴敬
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-057168
公開番号（公開出願番号）：特開2010-210954
出願日： 2009年03月10日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】ポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】環骨格中に-SO2-を含む環式基を含む構成単位および酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位で表される構成単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(E)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0-1)を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、 フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(E)と、 露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/38

FI (5件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 504 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/38

Fターム (43件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA03T ,  4J100BA11P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA15S ,  4J100BA15T ,  4J100BA16T ,  4J100BC03Q ,  4J100BC03R ,  4J100BC03S ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC09T ,  4J100BC53P ,  4J100BC84Q ,  4J100BC84S ,  4J100CA03 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38