クラスター単離装置、クラスター単離方法、金属内包フラーレン又はフラーレン、ピーポッド構造、ピーポッド製造装置、ピーポッド製造方法及びN型半導体素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-046857
公開番号（公開出願番号）：特開2010-202424
出願日： 2009年02月27日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：

【課題】異なる種類のフラーレンが混在するクラスターを用いたものでありながら、一つの装置にて、効率良く単離すると共に、単離された金属内包フラーレン又はフラーレンのみが挿入されたピーポッドを用いた半導体素子の提供。【解決手段】金属内包フラーレンと空のフラーレンとが混在するクラスターを充填したオーブン11と、オーブン11内で加熱昇華されたクラスターが噴出される再昇華円筒12と、再昇華円筒12を加熱してオーブン11から噴出されたクラスターを再昇華する加熱装置13と、再昇華円筒12内に存在する単離状態の空のフラーレン及び金属内包フラーレンを正負別々のイオンとする電子ビーム照射装置と、カーボンナノチューブが塗布された一対の堆積基板15,16と、一対の堆積基板15,16の各々に正負別々のバイアスを印加する電源装置17,18と、を備えた装置を使用する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属内包フラーレンと空のフラーレンとが混在するクラスターを充填したオーブンと、該オーブンを加熱してクラスターを昇華する加熱装置と、前記オーブンで加熱昇華しつつ充填されたクラスターが噴出される再昇華円筒と、該再昇華円筒を加熱して前記オーブンから噴出されたクラスターを再昇華する加熱装置と、を備えていることを特徴とするクラスター単離装置。

IPC (5件)：

C01B 31/02 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40

FI (5件)：

C01B31/02 101F , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/28 310E

Fターム (25件)：

4G146AA08 , 4G146AA11 , 4G146AA13 , 4G146AA16 , 4G146AA19 , 4G146AB08 , 4G146AD30 , 4G146CB16 , 4G146CB19 , 4G146CB24 , 4G146CB33 , 4G146DA03 , 4G146DA23 , 4G146DA25 , 4G146DA31 , 4G146DA44 , 4G146DA45 , 5F110AA16 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE08 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG42

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