特許

J-GLOBAL ID：201003060460543257

レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-272782
公開番号（公開出願番号）：特開2010-102061
出願日： 2008年10月23日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：

【課題】露光光に極紫外線を用いるパターン形成において、現像コントラストが高い微細パターンを得られるようにする。【解決手段】基板101の上に、酸不安定基を含まず且つラクトンを含む第1のポリマーと、酸不安定基を含む第2のポリマーと、光酸発生剤とを含むレジスト材料からなるレジスト膜102を形成する。その後、レジスト膜102に、極紫外線からなる露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜に対して現像を行って、レジスト膜からレジストパターンを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸不安定基を含まず且つラクトンを含む第1のポリマーと、 酸不安定基を含む第2のポリマーと、 光酸発生剤とを含むことを特徴とするレジスト材料。

IPC (5件)：

G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 12/22 ,  C08F 20/28 ,  C08F 32/08

FI (5件)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F12/22 ,  C08F20/28 ,  C08F32/08

Fターム (26件)：

2H025AA04 ,  2H025AC05 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AJ02Q ,  4J100AJ03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL26P ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11P ,  4J100BA16Q ,  4J100BB07Q ,  4J100BC53P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100JA38