特許
J-GLOBAL ID:201003060551696595
セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
國弘 安俊
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-126815
公開番号(公開出願番号):特開2010-275128
出願日: 2009年05月26日
公開日(公表日): 2010年12月09日
要約:
【課題】磁気損失が小さく、磁気損失が小さく、磁性体材料と安価なCuを主成分とする導電性材料とを同時焼成しても構造破壊の生じることのない高周波用のセラミック電子部品、及び該セラミック電子部品の製造方法を実現する。【解決手段】磁性体セラミックが、主成分はビスマスを含まないガーネット型フェライト系材料で形成されると共に、Cu酸化物が0.25〜2.50重量%の範囲で含有され、Cuを主成分とした導体部と前記磁性体セラミックとは、酸素分圧が1.0×100〜1.0×10-3Paの雰囲気で同時焼成されてなり、前記導体部は、焼成前の脱バインダ処理前後の重量増加率が15%以下の導電性粉末を焼結してなる。導電性粉末は、例えば、Cu-Niの表面がガラス材で被覆されている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
磁性体セラミックが、主成分はビスマスを含まないガーネット型フェライト系材料で形成されると共に、Cu酸化物が0.25〜2.50重量%の範囲で含有され、
Cuを主成分とした導体部と前記磁性体セラミックとは、酸素分圧が1.0×100〜1.0×10-3Paの雰囲気で同時焼成されてなり、
前記導体部は、焼成前の脱バインダ処理前後の重量増加率が15%以下の導電性粉末を焼結してなることを特徴とするセラミック電子部品。
IPC (3件):
C04B 35/26
, C04B 35/00
, H01P 1/36
FI (3件):
C04B35/26 H
, C04B35/00 J
, H01P1/36 B
Fターム (19件):
4G018AA08
, 4G018AA12
, 4G018AA17
, 4G018AA24
, 4G018AA28
, 4G018AA30
, 4G018AB06
, 4G018AC14
, 4G018AC16
, 4G030AA08
, 4G030AA12
, 4G030AA19
, 4G030AA27
, 4G030AA34
, 4G030AA36
, 4G030BA12
, 4G030GA20
, 4G030GA25
, 4G030GA27
前のページに戻る