特許
J-GLOBAL ID：201003060977533596
ウェーハレベルの燐光体被覆方法およびその方法を利用して製作される装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-547218
公開番号（公開出願番号）：特表2010-517289
出願日： 2007年11月20日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：
通常基板上に複数のLEDを設けるステップを含む、発光ダイオード(LED)チップを製作する方法。LED上に脚柱を堆積させ、脚柱はそれぞれ、LEDのうちの1つに電気的に接触する。LEDを覆って被覆が形成され、この被覆は、脚柱の少なくとも一部を埋設する。次いで、被覆を平坦化して、前記被覆の少なくとも一部を前記LED上に残しながら、埋設された脚柱の少なくとも一部を露出させる。次いで、ワイアボンドなどによって、露出した脚柱に接触できるようにする。本発明は、キャリア基板上にフリップチップ接合されたLEDを有するLEDチップおよび他の半導体装置を製作するために使用される類似の方法を開示する。開示の方法を使用して製作されるLEDチップウェーハおよびLEDチップもまた開示される。
請求項（抜粋）：
テキスチャ付きの表面を有するLEDと、
前記LED上のコンタクトと、
前記コンタクトに電気的に接触する脚柱と、
前記LEDを少なくとも部分的に覆う被覆とを含み、前記脚柱は、電気的接触のために前記被覆を貫通しかつ露出する
ことを特徴とする発光ダイオード(LED)チップ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F041AA42
, 5F041DA55
, 5F041DA61
