特許

J-GLOBAL ID：201003061149994705

二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造

発明者： シン キュン ホ ,  ミン ビョン チュル
出願人/特許権者： コリア インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  水谷 好男 ,  河合 章 ,  遠藤 力
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-251256
公開番号（公開出願番号）：特開2010-109372
出願日： 2009年10月30日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：

【課題】磁気トンネル接合構造を構成する自由磁性層を、磁気異方性の方向及び大きさが異なる少なくとも2つの磁性薄膜で構成することにより、再生信号値の増大及びスイッチングに必要な臨界電流値の低減効果を独立して最適化することのできる、二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造を提供する。【解決手段】磁気トンネル接合構造は、固定された磁化方向を有する第1磁性層10と、反転可能な磁化方向を有する第2磁性層30と、第1磁性層10と第2磁性層30との間に形成される非磁性層20と、第2磁性層30との磁性結合により第2磁性層30の磁化方向を第2磁性層30の平面に対して傾斜させ、垂直磁気異方性エネルギーが水平磁気異方性エネルギーより大きい第3磁性層40と、第2磁性層30と第3磁性層40との間に形成され、第2磁性層30と第3磁性層40が異なる結晶配向性を有するように分離する結晶構造分離層50とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

固定された磁化方向を有する第1磁性層と、 反転可能な磁化方向を有する第2磁性層と、 前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に形成される非磁性層と、 前記第2磁性層との磁性結合により前記第2磁性層の磁化方向を前記第2磁性層の平面に対して傾斜させ、垂直磁気異方性エネルギーが水平磁気異方性エネルギーより大きい第3磁性層と、 前記第2磁性層と前記第3磁性層との間に形成され、前記第2磁性層と前記第3磁性層が異なる結晶配向性を有するように分離する結晶構造分離層と を含むことを特徴とする磁気トンネル接合構造。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82

FI (4件)：

H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z

Fターム (31件)：

4M119AA03 ,  4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  5F092AA01 ,  5F092AA02 ,  5F092AA08 ,  5F092AB06 ,  5F092AB10 ,  5F092AC12 ,  5F092AD22 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 記憶機能を有する磁気スピン極性化および磁化回転装置および当該装置を用いた書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-375090   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
• 電流によって誘起されたスピンモーメント移行をベースとした高速かつ低電力の磁気デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-524031   出願人：ニューヨーク・ユニバーシティ, アンドリュー・ケント, エンリケ・ゴンザレス・ガルシア, バルバロス・オジルマス