特許

J-GLOBAL ID：201003061195915755

光電送信又は受信素子およびその製造方法

発明者： ▲頼▼ 律名
出願人/特許権者： 億光電子工業股▲ふん▼有限公司
代理人 (3件)： 中村 承平 ,  木村 満 ,  森川 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-063141
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219537
出願日： 2010年03月18日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：

【課題】小さな光散乱角、小さな体積および高い信頼性を持つ光電送信又は受信素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】光電送信素子2は、基板21、第1の導電層241、第2の導電層242および光電変換チップ25を有する。基板は上側表面210および凹所211を有し、複合材料で作られる。凹所は、底部211aおよび底部から上側表面まで上向きに伸びた内側側面の壁211bによって定められる。第1の導電層および第2の導電層は、基板の複合材料を活性化するレーザーを用いて形成される。第1の導電層は凹所の底部表面に設けられ、そして凹所の内側側面の壁および基板の上側表面に沿って外向きに伸びている。第2の導電層は、第1の導電層から電気的に絶縁され、そして基板の上側表面に沿って外向きに伸びている。光電変換チップは凹所の底部表面に設けられ、第1の導電層と第2の導電層とにそれぞれ電気的に接続される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

上側表面と、底部および当該底部から当該上側表面まで上方へ伸びる内側側面の壁とによって定められる凹所とを有する基板であって、当該基板は複合材料で作成され、当該複合材料はレーザー照射による活性化によって当該複合材料の表面に導電層を形成するのに適したものと、 当該凹所の当該底部の第1部分に設けられ、当該凹所の当該内側側面の壁と当該基板の当該上側表面に沿って伸びる第1の導電層であって、当該第1の導電層はレーザー照射により当該基板の当該複合材料を活性化することにより形成されるものと、 当該第1の導電層から絶縁され、当該凹所の当該底部の第2部分に設けられ、当該凹所の当該内側側面の壁および当該基板の当該上側表面に沿って外側に伸びる第2の導電層であって、当該第2の導電層はレーザー照射により当該基板の当該複合材料を活性化して形成されるものと、 当該凹所の当該底部に配置され、当該凹所の当該底部の当該第1の導電層および当該第2の導電層とそれぞれ電気的に接続された光電変換チップと からなる光電送信又は受信素子。

IPC (5件)：

H01L 23/28 ,  H01L 31/02 ,  H01L 33/62 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14

FI (5件)：

H01L23/28 D ,  H01L31/02 B ,  H01L33/00 440 ,  H01L23/12 F ,  H01L23/14 R

Fターム (23件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DB16 ,  4M109DB17 ,  4M109EA20 ,  4M109FA10 ,  4M109GA01 ,  5F041AA06 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041AA47 ,  5F041DA07 ,  5F041DA19 ,  5F041DA35 ,  5F041DA39 ,  5F041DA78 ,  5F041DB09 ,  5F088BA15 ,  5F088JA03 ,  5F088JA06 ,  5F088JA10 ,  5F088JA20