特許

J-GLOBAL ID：201003061337517620

欠陥検査装置および欠陥検査方法

発明者： 武澤 政之 ,  藤井 大 ,  百瀬 義剛
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-063407
公開番号（公開出願番号）：特開2010-216963
出願日： 2009年03月16日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：

【課題】欠陥検査の画像処理に用いるPEの処理可能な画像ブロックのサイズを確保することができる欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供する。【解決手段】表面にパターンが形成された半導体ウエハ10を撮像し、得られた半導体ウエハ10の画像を、半導体ウエハ表面のパターンの欠陥を検出する欠陥検出処理に用いるプロセッサエレメントの処理可能サイズ範囲内となるように複数の画像ブロックに分割し、複数のプロセッサエレメントのうち複数の画像ブロックを均等に分配できる数のプロセッサエレメントを用い、複数の画像ブロックに対して並列に欠陥検出処理を行う。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

表面にパターンが形成された試料を撮像する撮像手段と、 前記撮像手段で撮影して得られた前記試料の画像を、前記試料表面のパターンの欠陥を検出する欠陥検出処理に用いるプロセッサエレメントの処理可能サイズ範囲内となるように複数の画像ブロックに分割する分割手段と、 複数の前記プロセッサエレメントを有し、該プロセッサエレメントのうち前記複数の画像ブロックを均等に分配できる数のプロセッサエレメントを用い、前記複数の画像ブロックに対して並列に欠陥検出処理を行う画像処理手段と を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。

IPC (2件)：

G01N 21/956 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01N21/956 A ,  H01L21/66 J ,  H01L21/66 Z

Fターム (11件)：

2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051CA03 ,  2G051EA12 ,  2G051EA19 ,  2G051ED01 ,  4M106AA01 ,  4M106CA38 ,  4M106CA39 ,  4M106DB04 ,  4M106DJ20