特許

J-GLOBAL ID：201003061993636938

半導体基板の表面処理方法

発明者： 冨 田 寛 ,  小 出 辰 彦 ,  大 口 寿 史 ,  島 山 賢太郎 ,  飯 森 弘 恭 ,  季 麗 楠
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  重野 隆之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-243777
公開番号（公開出願番号）：特開2010-114439
出願日： 2009年10月22日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくともそれぞれの一部にシリコンを含む膜を有する複数の凸形状パターンを形成し、 前記凸形状パターン表面を薬液を用いて洗浄及び改質し、 改質された前記凸形状パターン表面に撥水性保護膜を形成し、 前記撥水性保護膜形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスし、 前記半導体基板を乾燥させ、 前記凸形状パターンを残存させて前記撥水性保護膜を除去する半導体基板の表面処理方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/304 651Z ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 647A

Fターム (25件)：

5F157AA09 ,  5F157AA28 ,  5F157AA76 ,  5F157AA77 ,  5F157AA93 ,  5F157AA94 ,  5F157AB02 ,  5F157AB03 ,  5F157AB13 ,  5F157AB14 ,  5F157AB33 ,  5F157AB34 ,  5F157AB90 ,  5F157AC04 ,  5F157AC26 ,  5F157BB02 ,  5F157BB22 ,  5F157BC19 ,  5F157CB02 ,  5F157CB03 ,  5F157CB13 ,  5F157CB14 ,  5F157CB23 ,  5F157CB29 ,  5F157DA21