特許
J-GLOBAL ID:201003062011590227
透明導電体及びその製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
, 石坂 泰紀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-020735
公開番号(公開出願番号):特開2010-177135
出願日: 2009年01月30日
公開日(公表日): 2010年08月12日
要約:
【課題】 繰り返し機械的負荷を受けた場合においても、形状変化や抵抗変動等の物性変化が少なく、長期間の使用を経ても製造時の性能を維持すること可能な透明導電体、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 Si酸化物硬化体と導電粉とを含有する導電層を備え、上記導電粉が、上記Si酸化物硬化体で固定されていることを特徴とする、透明導電体。【選択図】図1
請求項(抜粋):
Si酸化物硬化体と導電粉とを含有する導電層を備え、
前記導電粉が、前記Si酸化物硬化体で固定されていることを特徴とする、透明導電体。
IPC (4件):
H01B 5/14
, H01B 13/00
, B32B 9/00
, B32B 27/00
FI (4件):
H01B5/14 A
, H01B13/00 503B
, B32B9/00 A
, B32B27/00 Z
Fターム (34件):
4F100AA20C
, 4F100AA33
, 4F100AK01A
, 4F100AK01D
, 4F100AK25
, 4F100AK41
, 4F100AK79C
, 4F100AT00B
, 4F100BA03
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10B
, 4F100BA10C
, 4F100BA10D
, 4F100BA26
, 4F100DE01C
, 4F100DE01H
, 4F100GB41
, 4F100JA05A
, 4F100JA05D
, 4F100JG01
, 4F100JG01C
, 4F100JG01H
, 4F100JJ03
, 4F100JN01C
, 4F100YY00A
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FC02
, 5G307FC09
, 5G307FC10
, 5G323BA02
, 5G323BB06
, 5G323BC03
引用特許:
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