特許

J-GLOBAL ID：201003062508001837

半導体装置

発明者： 岡山 昌太
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-208331
公開番号（公開出願番号）：特開2010-225259
出願日： 2009年09月09日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：

【課題】内部回路の動作パラメータなどの設定を行うデータを長期にわたって安定に供給する。【解決手段】第1の動作モード(PROM)時には、不揮発性メモリセルに対し非破壊的に書換え可能な態様でデータを書込み、第2の動作モード(OTP)時には不揮発性メモリセルに対し、破壊的に書換え不可能な態様でデータを書込む。この不揮発性メモリセルは、記憶素子として、可変磁気抵抗素子を有し、可変磁気抵抗素子の抵抗値に応じて情報を不揮発的に記憶する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

行列状に配列され、各々が情報を不揮発的に記憶する複数の不揮発性メモリセルを有するメモリアレイ、および 第1の動作モード時には前記不揮発性メモリセルに対して非破壊的に書換え可能な態様でデータを書込み、第2の動作モード時には前記不揮発性メモリセルに対し破壊的に書換え不可能な態様でデータを書込む書込制御回路を備える、半導体装置。

IPC (5件)：

G11C 29/04 ,  G11C 11/15 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 17/06

FI (4件)：

G11C29/00 603J ,  G11C11/15 100 ,  H01L27/10 447 ,  G11C17/06 Z

Fターム (48件)：

4M119AA06 ,  4M119AA11 ,  4M119AA20 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD22 ,  4M119DD25 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE03 ,  4M119EE22 ,  4M119EE29 ,  4M119EE40 ,  4M119FF06 ,  4M119FF07 ,  4M119FF13 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119FF19 ,  4M119GG01 ,  4M119GG03 ,  4M119GG07 ,  4M119GG08 ,  4M119HH01 ,  4M119HH02 ,  4M119HH04 ,  4M119HH05 ,  4M119HH07 ,  4M119HH13 ,  4M119HH17 ,  4M119HH20 ,  4M119JJ07 ,  4M119KK01 ,  4M119KK02 ,  4M119KK04 ,  4M119KK11 ,  5B125BA16 ,  5B125CA11 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02 ,  5B125FA07 ,  5L106AA07 ,  5L106BB14 ,  5L106CC07 ,  5L106CC13 ,  5L106FF02 ,  5L106GG05