特許

J-GLOBAL ID：201003062538931898

半導体装置の製造方法

発明者： 川村 宏枝
出願人/特許権者： 富士通セミコンダクター株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-125377
公開番号（公開出願番号）：特開2010-272798
出願日： 2009年05月25日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：

【課題】 シャロートレンチアイソレーション法により素子分離絶縁膜を形成した後に、従来の方法で自然酸化膜除去のための水素熱処理を行うと、所望のトランジスタ特性が得られない場合がある。【解決手段】 シリコン基板を、水素を含む還元性雰囲気中で、温度が930°C〜1030°Cの範囲内であり、時間が0秒よりも長くかつ30秒以下の条件で第1の熱処理を行う。第1の熱処理後、水素を含む還元性雰囲気中に配置したまま、温度が第1の熱処理時の基板温度よりも低く、かつ900°C〜980°Cの範囲の基板温度に、0秒よりも長くかつ30秒よりも短い時間維持して第2の熱処理を行う。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

シリコン基板を、水素を含む還元性雰囲気中で、温度が930°C〜1030°Cの範囲内であり、時間が0秒よりも長くかつ30秒以下の条件で第1の熱処理を行う工程と、 前記第1の熱処理後、水素を含む還元性雰囲気中に配置したまま、温度が前記第1の熱処理時の基板温度よりも低く、かつ900°C〜980°Cの範囲の基板温度に、0秒よりも長くかつ30秒よりも短い時間維持して第2の熱処理を行う工程と を有する半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/78

FI (6件)：

H01L27/08 102C ,  H01L21/76 L ,  H01L27/08 321D ,  H01L21/324 X ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301F

Fターム (47件)：

5F032AA34 ,  5F032AA45 ,  5F032AA69 ,  5F032AA77 ,  5F032AA84 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032DA33 ,  5F032DA57 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F048AA04 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD09 ,  5F140BE01 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG30 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140CB04 ,  5F140CF04