特許

J-GLOBAL ID：201003063246333279

半導体装置の製造方法

発明者： 小平 真継 ,  舩越 康志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-117682
公開番号（公開出願番号）：特開2010-267787
出願日： 2009年05月14日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：

【課題】半導体装置の特性の低下を安定して抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第1導電型または第2導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、 前記ぬれ性改善膜の表面上に第1導電型または第2導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、 前記ドーパント拡散剤から前記半導体基板に前記ドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/225 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L21/225 R ,  H01L31/04 A ,  H01L21/225 Q

Fターム (22件)：

5F051AA02 ,  5F051BA11 ,  5F051CB12 ,  5F051CB13 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051EA11 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03 ,  5F151AA02 ,  5F151BA11 ,  5F151CB12 ,  5F151CB13 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151DA03 ,  5F151EA11 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭63-028034
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-211860   出願人：サンケン電気株式会社
• レーザードーピング処理方法及び薄膜トランジスタの作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-321619   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-325894   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭63-028034