特許

J-GLOBAL ID：201003063399738111

薄膜トランジスタおよびその製造方法並びに表示装置

発明者： 山口 典彦 ,  谷口 理 ,  宮下 寛子 ,  寺井 康浩
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (4件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-050741
公開番号（公開出願番号）：特開2010-205987
出願日： 2009年03月04日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：

【課題】アルミニウムの酸化物半導体への拡散を抑えると共に、酸化物半導体と酸化アルミニウムを選択的にエッチングすることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】基板11上にゲート電極13、ゲート絶縁膜14、チャネル層15および封止層16を備える。チャネル層15は導電性の酸化物半導体により形成されている。封止層16は第1絶縁膜16aおよび第2絶縁膜16bからなる。第1絶縁膜16aは酸化アルミニウム(Al2O3 )により形成されている。第2絶縁膜16bは第1絶縁膜16a中のアルミニウム(Al)のチャネル層15内への拡散を防止する機能を有する。第2絶縁膜16bはチャネル層15を構成する酸化物半導体および第1絶縁材料それぞれに対して同一ガス(あるいは溶液)によるエッチング選択性の良好な材料(酸化シリコン(SiOx)、窒化シリコン(SiNx)等)により構成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、 酸化物半導体を主成分とするチャネル層と、 前記ゲート電極とチャネル層との間に設けられたゲート絶縁膜と、 前記チャネル層の前記ゲート電極とは反対側に設けられた封止層と、 前記チャネル層に接触し、ソース・ドレインとなる一対の電極とを備え、 前記封止層は少なくとも、 第1絶縁材料により形成された第1絶縁膜と、 前記酸化物半導体および第1絶縁材料それぞれに対してエッチング選択性を有する第2絶縁材料により形成され、前記第1絶縁膜と前記チャネル層との間に設けられた第2絶縁膜とを含む薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 627B

Fターム (35件)：

5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG43 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN13 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09