特許

J-GLOBAL ID：201003063738823867

半導体装置及びその製造方法

発明者： 池田 大助 ,  吉見 英章
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  三洋半導体株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-130652
公開番号（公開出願番号）：特開2010-278307
出願日： 2009年05月29日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：

【課題】従来の半導体装置では、スクライブし個片化した後、その切断面の状況を検査する方法がないという問題があった。【解決手段】本発明の半導体装置では、シリコン基板の素子形成領域W1の外周部にシールリング層5が配置され、シールリング層5上方の素子形成領域W1からスクライブ領域W2側へと位置精度確認マーク14が形成される。この構造により、半導体装置1の切断面には位置精度確認マーク14が露出し、その露出した形状により切断面の品質検査を行うことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも基板の一主面側が樹脂層により被覆され、前記基板の一主面と他の主面の間に位置する側面がスクライブ面となる半導体装置において、 前記スクライブ面には、前記基板及び前記樹脂層の他に前記スクライブ面の位置精度を確認する位置精度確認マークが露出することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (2件)：

H01L21/78 L ,  H01L21/78 Q