特許
J-GLOBAL ID：201003063825991792

シリコン含有膜を形成する方法

発明者：
デュサラ、クリスティアン

デュサラ、クリスティアン について


出願人/特許権者：
レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード について


代理人 (9件)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  砂川 克
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-525945
公開番号（公開出願番号）：特表2010-539730
出願日： 2008年09月18日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：
シリコン含有膜を形成する方法であって、基板を反応チャンバーに供給すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550°C以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ることを含む方法。窒化シリコン膜を調製する方法であって、シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、シリコン含有化合物を前記反応チャンバー中に導入すること、前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入することを含む方法。
請求項（抜粋）：
シリコン含有膜を形成する方法であって、 a) 反応チャンバーに基板を供給すること、 b) 前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、 c) 前記反応チャンバー中に、少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、 d) 前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550°C以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ること を含む方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/316
FI (4件)：
H01L21/318 C ,  C23C16/42 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B
Fターム (35件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA15 ,  5F058BA01 ,  5F058BA03 ,  5F058BA04 ,  5F058BA05 ,  5F058BA06 ,  5F058BA07 ,  5F058BA08 ,  5F058BA09 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BJ04
引用特許：
審査官引用 (6件)
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