特許
J-GLOBAL ID：201003063991994554
固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
原田 洋平
, 森本 義弘
, 笹原 敏司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-032103
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192483
出願日： 2009年02月16日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：
【課題】裏面照射型の固体撮像素子について、高画素化を実現しながら、長波長領域においても容易に感度の低下を抑制することを目的とする。【解決手段】半導体基板100の表裏両面から光電変換領域(130,140)を形成することにより、高エネルギーのイオン注入装置や厚膜レジストを使用することなく、半導体基板100の表面から深い位置に光電変換領域(130,140)を容易に形成することができる。このことにより、外部からの可視光領域から近赤外光領域に至るまでの長波長入力光を効率よく吸収できるので、固体撮像素子の受光感度を向上させることができ、単位画素での感度が低下することなく固体撮像装置の多画素化を行なうことができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成される受光部にて入射光を光電変換することにより撮像する固体撮像素子であって、
前記受光部が、
前記半導体基板の前記入射光受光面と反対側に形成される第1の第1導電型半導体ウェルと、
前記半導体基板の前記入射光受光面側の表面に形成される第2の第1導電型半導体ウェルと、
前記第1の第1導電型半導体ウェルに隣接して前記第1の第1導電型半導体ウェルと前記第2の第1導電型半導体ウェルとの間に形成される第2導電型の電荷蓄積領域と、
前記第2の第1導電型半導体ウェルと前記第2導電型の電荷蓄積領域とに隣接して形成される光電変換領域と
を有し、前記光電変換領域が第1の第2導電型光電変換領域と第2の第2導電型光電変換領域とから成り、前記光電変換領域の前記第2の第1導電型半導体ウェルと前記第2導電型の電荷蓄積領域との間の距離である深さが、入射される可視光の中で最大波長の入射光を半分以上光電変換できる深さ以上であることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 U
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA18
, 4M118DA21
, 4M118DD04
, 4M118EA01
, 4M118EA05
, 4M118FA06
, 4M118FA26
, 4M118FA33
, 4M118GA02
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 5C024AX01
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024EX22
, 5C024EX43
, 5C024EX52
, 5C024GX24
, 5C024GY31
