特許

J-GLOBAL ID：201003064947417511

一対のシールド層に結合する一対の強磁性層を有する磁気抵抗効果素子

発明者： 町田 貴彦 ,  宮内 大助 ,  土屋 芳弘 ,  長 勤 ,  原 晋治 ,  島沢 幸司
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (2件)： 星宮 勝美 ,  渡邊 和浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-172667
公開番号（公開出願番号）：特開2010-102817
出願日： 2009年07月24日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：

【課題】外部からの磁界が印加されない状態で一対の強磁性層の磁化の方向を互いに反平行にし、且つ突発的な出力の変化の発生を抑制する。【解決手段】MR素子は、一対のシールド部の間に配置されたMR積層体5およびバイアス磁界印加層6を備えている。各シールド部は単磁区部分を含んでいる。MR積層体5は、一対の単磁区部分と磁気的に結合する一対の強磁性層と、一対の強磁性層の間に配置されたスペーサ層とを含んでいる。MR積層体5は、前端面5cと後端面5dと側面5e,5fとを有している。MR素子は、MR積層体5の側面5e,5fに隣接する位置に配置された2つの磁束ガイド層90を備えている。磁束ガイド層90は、前端面90cと後端面90dとを有している。バイアス磁界印加層6は、MR積層体5の後端面5dと2つの磁束ガイド層90の各後端面90dとに対向する前端面6aを有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1および第2のシールド部と、 前記第1および第2のシールド部の間に配置されたMR積層体と、 前記第1および第2のシールド部の間に配置され、前記MR積層体に対してバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層とを備えた磁気抵抗効果素子であって、 前記第1のシールド部は、磁化が第1の方向に向くように単磁区化された第1の単磁区部分を含み、 前記第2のシールド部は、磁化が第2の方向に向くように単磁区化された第2の単磁区部分を含み、 前記第1および第2の単磁区部分と前記MR積層体は、前記第1の単磁区部分と前記第2の単磁区部分によって前記MR積層体が挟まれるように配置され、 前記MR積層体は、前記第1の単磁区部分と磁気的に結合する第1の強磁性層と、前記第2の単磁区部分と磁気的に結合する第2の強磁性層と、前記第1および第2の強磁性層の間に配置された非磁性材料よりなるスペーサ層とを含み、 前記MR積層体は、検出すべき磁界を受ける前端面と、この前端面とは反対側の後端面と、前記前端面と後端面とを連結する2つの側面とを有し、これらの面はいずれも前記第1の強磁性層、スペーサ層および第2の強磁性層の積層方向に交差する方向の端に位置し、 磁気抵抗効果素子は、更に、それぞれ磁性材料よりなり、前記第1および第2の単磁区部分の間であって前記MR積層体の2つの側面に隣接する位置に配置された2つの磁束ガイド層を備え、 前記2つの磁束ガイド層は、それぞれ、前記MR積層体の前端面と同じ方向に向いた前端面とこの前端面とは反対側の後端面とを有し、 前記バイアス磁界印加層は、前記MR積層体の後端面と2つの磁束ガイド層の各後端面とに対向する前端面を有し、前記第1および第2の強磁性層に対してバイアス磁界が印加されない状態と比較して、前記第1の強磁性層の磁化の方向と第2の強磁性層の磁化の方向が変化するように、前記第1および第2の強磁性層に対してバイアス磁界を印加することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (2件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11B5/39 ,  H01L43/08 B ,  H01L43/08 Z

Fターム (27件)：

5D034BA04 ,  5D034BA12 ,  5D034BB09 ,  5D034CA08 ,  5F092AA05 ,  5F092AA15 ,  5F092AB03 ,  5F092AC06 ,  5F092AC11 ,  5F092AD03 ,  5F092BB03 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB38 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB66 ,  5F092BB73 ,  5F092BB74 ,  5F092BB75 ,  5F092BB81 ,  5F092BC10 ,  5F092BC16 ,  5F092BC43