特許
J-GLOBAL ID：201003065271703571
ナノインプリント用マスターモールドの製造方法およびレプリカモールドの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-216941
公開番号（公開出願番号）：特開2010-052175
出願日： 2008年08月26日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】微細な形状の構造体を形成するためのパターン転写技術であるナノインプリント法において、微細構造が形成されたモールドに損傷を与えることなく洗浄を行うことにより、電鋳法を用いて精密なレプリカモールドを作製することを可能にするモールドの製造方法を提供する。【解決手段】レジストを塗布したシリコン基板に電子線描画によってパターンを形成してシリコン原盤を作製した後、電鋳により形成された前記シリコン原盤のレジストパターンと逆の凹凸パターンを有するマスターモールドを前記シリコン原盤から剥離した後、原子状水素を含むプラズマの照射で前記マスターモールドの表面のレジスト残渣を除去することを特徴とするナノインプリント用マスターモールドの製造方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
レジストを塗布したシリコン基板に電子線描画によってパターンを形成してシリコン原盤を作製した後、電鋳により形成された前記シリコン原盤のレジストパターンと逆の凹凸パターンを有するマスターモールドを前記シリコン原盤から剥離した後、原子状水素を含むプラズマの照射で前記マスターモールドの表面のレジスト残渣を除去することを特徴とするナノインプリント用マスターモールドの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
B29C33/38
, H01L21/30 502D
4F202AF01
, 4F202AG05
, 4F202AJ02
, 4F202AJ06
, 4F202AJ09
, 4F202AR06
, 4F202AR12
, 4F202CA19
, 4F202CB01
, 4F202CD12
, 4F202CD23
, 4F202CD30
, 5F046AA28
