特許

J-GLOBAL ID：201003065686060765

SOIウェーハ、その製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： 米田 健司
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (4件)： 中島 司朗 ,  小林 国人 ,  川畑 孝二 ,  木村 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-104063
公開番号（公開出願番号）：特開2010-258083
出願日： 2009年04月22日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：

【課題】 金属不純物に対して高いゲッタリング能力を有するSOIウェーハを提供する。【解決手段】SOIウェーハ10において、支持基板1の上部に熱酸化によるBOX層2が形成されている。BOX層2の直上に、酸素、酸素と炭素、酸素と窒素、酸素と炭素と窒素のいずれかの組み合わせを含むシリコンからなるゲッタリング層3が形成され、ゲッタリング層3の直上に、半導体素子を形成するための単結晶シリコンからなるS層4が形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンからなる支持基板の表面に、シリコン酸化膜からなる絶縁層が形成され、 当該絶縁層の直上に、酸素、炭素、窒素のうち、少なくとも酸素が含有されたシリコンからなるゲッタリング層を有し、 当該ゲッタリング層の直上に、単結晶シリコン層を有することを特徴とするSOIウェーハ。

IPC (6件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/146 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/322 G ,  H01L21/322 Y ,  H01L21/322 J ,  H01L27/14 A ,  H01L29/78 627Z ,  H01L29/78 626C

Fターム (21件)：

4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA50 ,  4M118GA02 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG60 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ28