特許
J-GLOBAL ID:201003065732713361

圧電素子及び圧電素子の製造方法、液体吐出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-197456
公開番号(公開出願番号):特開2010-034448
出願日: 2008年07月31日
公開日(公表日): 2010年02月12日
要約:
【課題】Pb含有圧電体膜を備えた圧電素子において、圧電特性を低下させることなく耐久性を良好にする。【解決手段】圧電素子1は、基板11上に下部電極12と、下記一般式(P)で表される鉛含有ペロブスカイト型酸化物を含む圧電体膜13と、上部電極14とを順次備え、圧電体膜13は、下部電極12側の面にパイロクロア型酸化物の層13pを有するものであり、パイロクロア型酸化物層13pの平均層厚Thが20nm以下であることを特徴とするものである。 一般式AaBbO3・・・(P)(式中、A:Aサイト元素であり、Pbを主成分とする少なくとも1種の元素、B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、O:酸素原子。)【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板上に下部電極と、下記一般式(P)で表される鉛含有ペロブスカイト型酸化物を含む圧電体膜と、上部電極とを順次備えた圧電素子であって、 前記圧電体膜は、該圧電体膜の前記下部電極側の面にパイロクロア型酸化物の層を有するものであり、 該パイロクロア型酸化物層の平均層厚が20nm以下であることを特徴とする圧電素子。 一般式AaBbO3・・・(P) (式中、A:Aサイト元素であり、Pbを主成分とする少なくとも1種の元素、 B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、 O:酸素原子。 a=1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。)
IPC (6件):
H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16
FI (8件):
H01L41/08 J ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101F ,  H01L41/22 Z ,  B41J3/04 103A ,  B41J3/04 103H
Fターム (4件):
2C057AF65 ,  2C057AP52 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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