特許

J-GLOBAL ID：201003066177194376

半導体装置とその製造方法

発明者： 内海 勝喜 ,  藤井 恭子 ,  中野 高宏
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-089574
公開番号（公開出願番号）：特開2010-245645
出願日： 2009年04月01日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：

【課題】小型化、かつマイクロフォン感度の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態の半導体装置は、音圧を電気信号に変換する変換体110と、前記変換体110で変換された電気信号を増幅する増幅回路を有する増幅素子140Aとを備える半導体装置であって、前記変換体110は、上面から下面へ空洞部113が形成されている台座112と、前記空洞部113の上面側の開口を塞ぐように配置され、前記音圧に応じて振動することで当該音圧を電気信号に変換する振動膜111とを有し、前記増幅素子140Aは、前記空洞部113を塞ぐように前記変換体の下方に配置されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

音圧を電気信号に変換する変換体と、前記変換体で変換された電気信号を増幅する増幅回路を有する半導体素子とを備える半導体装置であって、 前記変換体は、 上面から下面へ貫通孔が形成されている台座と、 前記貫通孔の上面側の開口を塞ぐように配置され、前記音圧に応じて振動することで当該音圧を電気信号に変換する振動膜とを有し、 前記半導体素子は、前記貫通孔を塞ぐように前記変換体の下方に配置される 半導体装置。

IPC (3件)：

H04R 1/02 ,  H04R 19/04 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

H04R1/02 106 ,  H04R19/04 ,  H01L29/84 Z

Fターム (13件)：

4M112AA06 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA11 ,  4M112CA12 ,  4M112CA13 ,  4M112DA03 ,  4M112EA11 ,  4M112FA01 ,  4M112GA01 ,  5D017BC18 ,  5D021CC18