特許

J-GLOBAL ID：201003066642866378

突起電極の形成方法及び形成装置

発明者： 伊藤 元通
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-017283
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177381
出願日： 2009年01月28日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：

【課題】本発明は、例えば比較的体積の大きな突起電極を狭ピッチで電子部品に形成する場合のように、極めて近接した状態で複数の突起電極を形成することが可能な新規な突起電極の形成方法及び形成装置を提供することを目的としている。【解決手段】本発明に係わる突起電極の形成方法は、電子部品の一面に複数の突起電極を形成する方法であって、所望の突起電極とほぼ同じ体積でかつ軸心に直交する断面における最大寸法が所望の突起電極の最大寸法未満となるよう形成された低融点金属を主体とした柱状の金属片をその端面が電子部品の一面に当接する姿勢で搭載冶具の貫通孔を通じて電子部品に搭載する搭載工程と、前記搭載工程の後に金属片を溶融し、冷却し、凝固せしめるリフロー工程とを含む突起電極の形成方法である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

電子部品の一面に複数の突起電極を形成する方法であって、所望の突起電極とほぼ同じ体積でかつ軸心に直交する断面における最大寸法が所望の突起電極の最大寸法未満となるよう形成された低融点金属を主体とした柱状の金属片をその端面が電子部品の一面に当接する姿勢で搭載冶具の貫通孔を通じて電子部品に搭載する搭載工程と、前記搭載工程の後に金属片を溶融し、冷却し、凝固せしめるリフロー工程とを含む突起電極の形成方法。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (2件)：

H01L21/92 604A ,  H01L21/92 604Z