特許

J-GLOBAL ID：201003066920293406

半導体装置

発明者： 小林 知永 ,  新池 修平
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-032354
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192500
出願日： 2009年02月16日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：

【課題】半導体装置を実装した際に他の電子機器に悪影響を及ぼすアウトガスの発生を防止する。【解決手段】 半導体基板11と、絶縁層12と、回路素子配線13とからなる半導体装置1であって、前記回路素子配線13が形成されていない領域の少なくとも一部の絶縁層12が除去されていると共に、前記半導体装置1の最表面を全面に亙って被覆する遮蔽膜14が形成されていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 該半導体基板の一面に形成された絶縁層と、 該絶縁層上に形成された回路素子配線と、を備え、 前記回路素子配線が形成されていない領域の少なくとも一部の前記絶縁層が除去されていると共に、前記半導体装置の最表面を全面に亙って被覆する遮蔽膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 25/00

FI (3件)：

H01L27/04 L ,  H01L27/04 H ,  H01L25/00 B

Fターム (8件)：

5F038AZ04 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038CD12 ,  5F038CD13 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ03 ,  5F038EZ20