特許
J-GLOBAL ID:201003067483931771
高周波低雑音増幅器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-221431
公開番号(公開出願番号):特開2010-057025
出願日: 2008年08月29日
公開日(公表日): 2010年03月11日
要約:
【課題】低雑音で過入力による耐電力特性に強く高利得特性を得ると共に、低消費電力で小型な高周波低雑音増幅器を提供する。【解決手段】高周波低雑音増幅器10において、初段の増幅回路12は、低雑音で過入力による耐電力特性に強く高利得が得られるGaNをベースとしたHEMTを用い、次段以降には低消費電力で小型にできるGaAsをベースとしたHEMTを用いた増幅回路13を採用した。これらを多段カスケード接続した構成を採用した。【選択図】図1
請求項(抜粋):
入力端子と出力端子との間に、ゲートおよびドレイン、ソースの各電極を有する複数の増幅素子を多段に接続した高周波低雑音増幅器であって、
初段の増幅素子はGaNをベースとした高電子移動度トランジスタで形成され、次段以降の増幅素子についてはGaAsをベースとした高電子移動度トランジスタで形成されたことを特徴とする高周波低雑音増幅器。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (13件):
5J500AA04
, 5J500AC57
, 5J500AC58
, 5J500AC91
, 5J500AC92
, 5J500AF15
, 5J500AF16
, 5J500AH12
, 5J500AM08
, 5J500AQ02
, 5J500AS13
, 5J500AT01
, 5J500RU02
引用特許:
出願人引用 (1件)
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高周波低雑音増幅器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-111623
出願人:日本電業工作株式会社
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