特許

J-GLOBAL ID：201003068247575960

半導体受光素子およびその製造方法

発明者： 藤井 恵美子 ,  中田 武志
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-015856
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177286
出願日： 2009年01月27日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：

【課題】受光に起因しないpn接合容量を低減し、かつ、素子の小サイズ化に有利な半導体受光素子を提供する。【解決手段】本実施形態の半導体受光素子1は、n型半導体基板101と、n型半導体基板101に形成されたメサ状の受光領域110と、受光領域110の上面に設けられた受光面119と、受光領域110上に形成されたp型電極112と、を有する。受光領域110は、p型コンタクト層を備える。p型コンタクト層は、受光面119の直下に形成されている。p型電極112は、受光面119内に配置されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板に形成された半導体層と、 前記半導体層の上面に設けられた受光面と、 前記半導体層上に形成された第一電極と、 を有し、 前記半導体層が第一導電型の半導体層を備え、 前記第一導電型の半導体層が、前記受光面の直下に形成され、 前記第一電極が、前記受光面内に配置されている半導体受光素子。

IPC (1件)：

H01L 31/107

FI (1件)：

H01L31/10 B

Fターム (10件)：

5F049MA04 ,  5F049MA07 ,  5F049NA03 ,  5F049NA15 ,  5F049NA18 ,  5F049NA19 ,  5F049NB01 ,  5F049NB07 ,  5F049QA02 ,  5F049TA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-273363
  
• 特開平1-273363