半導体装置、およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-270945
公開番号（公開出願番号）：特開2010-157702
出願日： 2009年11月30日
公開日（公表日）： 2010年07月15日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置を提供するに際し、酸化物半導体層と電極層との接触抵抗を低減することを課題の一とする。【解決手段】ゲート絶縁層上方の第1のソース電極層または第1のドレイン電極層と、ゲート絶縁層上方の酸化物半導体層と、酸化物半導体層、および第1のソース電極層または第1のドレイン電極層上方の第2のソース電極層または第2のドレイン電極層と、を有し、酸化物半導体層の下面は、ゲート電極層と重畳する領域においてゲート絶縁層と接しており、且つ、少なくとも他の一部の領域において第1のソース電極層または第1のドレイン電極層と接しており、酸化物半導体層の上面は、その一部の領域において第2のソース電極層または第2のドレイン電極層と接しており、第1のソース電極層または第1のドレイン電極層は、第2のソース電極層または第2のドレイン電極層と電気的に接続している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上方のゲート電極層と、前記ゲート電極層上方のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上方の第1のソース電極層または第1のドレイン電極層と、前記ゲート絶縁層上方の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層、および前記第1のソース電極層または第1のドレイン電極層上方の第2のソース電極層または第2のドレイン電極層と、を有し、前記酸化物半導体層の下面は、少なくとも前記ゲート電極層と重畳する領域の一部において前記ゲート絶縁層と接しており、且つ、少なくとも他の一部の領域において前記第1のソース電極層または第1のドレイン電極層と接しており、前記酸化物半導体層の上面は、少なくともその一部の領域において前記第2のソース電極層または第2のドレイン電極層と接しており、前記第1のソース電極層または第1のドレイン電極層は、前記第2のソース電極層または第2のドレイン電極層と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/417 , H01L 21/28 , G02F 1/136 , G02F 1/17 , H01L 51/50 , H01L 29/41

FI (11件)：

H01L29/78 616T , H01L29/78 616U , H01L29/78 618B , H01L29/78 618F , H01L29/78 616K , H01L29/50 M , H01L21/28 301B , G02F1/1368 , G02F1/17 , H05B33/14 A , H01L29/44 L

Fターム (142件)：

2H092GA11 , 2H092GA32 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA43 , 2H092JA44 , 2H092JA47 , 2H092JB57 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA14 , 2H092MA22 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 2H092QA06 , 2H092QA07 , 2H092QA09 , 2H092RA10 , 2K101AA04 , 2K101AA08 , 2K101BA02 , 2K101BA12 , 2K101BB01 , 2K101BC02 , 2K101BC04 , 2K101BD68 , 2K101BD77 , 2K101BE07 , 2K101BE32 , 2K101BE37 , 2K101BE71 , 2K101EC08 , 2K101EC12 , 2K101EG52 , 2K101EJ02 , 2K101EJ32 , 2K101EJ33 , 2K101EK35 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC11 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD55 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104DD92 , 4M104FF01 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104FF26 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 5F110AA01 , 5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD11 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG36 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ02 , 5F110HJ04 , 5F110HJ16 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK26 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK39 , 5F110HK42 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110HL27 , 5F110HM02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ08

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-274705 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-250902 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-313283 出願人：日本電気株式会社

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