特許
J-GLOBAL ID：201003069609673504
硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-159722
公開番号（公開出願番号）：特開2010-001335
出願日： 2008年06月18日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：
【課題】 屈折率、光透過率及び基材に対する密着性が高い硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物、及び信頼性が優れる半導体装置を提供する。【解決手段】 (A)平均組成式で表される、アルケニル基及びアリール基を有するオルガノポリシロキサン、(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合全有機基の15モル%以上がアリール基であるオルガノポリシロキサン、(C)平均単位式で表される、アルケニル基、アリール基、及びエポキシ含有有機基を有する分岐状オルガノポリシロキサン、及び(D)ヒドロシリル化反応用触媒からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物、及び半導体素子が上記組成物の硬化物により被覆されている半導体装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)平均組成式:
R1aSiO(4-a)/2
(式中、R1は非置換又はハロゲン置換の一価炭化水素基であり、ただし、一分子中、少なくとも2個のR1がアルケニル基であり、全R1の少なくとも30モル%がアリール基であり、aは0.6〜2.1の数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン、
(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合全有機基の少なくとも15モル%がアリール基であるオルガノポリシロキサン、
(C)平均単位式:
(R2SiO3/2)b(R22SiO2/2)c(R23SiO1/2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f
{式中、各R2は独立に、アルキル基、アルケニル基、アリール基、又はエポキシ含有有機基であり、ただし、一分子中、全R2の少なくとも5モル%がアルケニル基であり、少なくとも15モル%がアリール基であり、少なくとも10モル%がエポキシ含有有機基であり、Xは水素原子又はアルキル基であり、bは正数であり、cは0又は正数であり、dは0又は正数であり、eは0又は正数であり、fは0又は正数であり、かつ、c/bは0〜10の数であり、d/bは0〜5の数であり、e/(b+c+d+e)は0〜0.3の数であり、f/(b+c+d+e)は0〜0.02の数である。}
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン、及び
(D)ヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなり、前記(B)成分の含有量は、前記(A)成分と前記(C)成分に含まれるアルケニル基に対して、前記(B)成分中のケイ素原子結合水素原子がモル比で0.1〜5となる量であり、前記(C)成分の含有量は、前記(A)成分と前記(B)成分の合計100質量部に対して0.1〜20質量部であり、前記(D)成分の含有量は、本組成物の硬化を促進する量である硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
IPC (5件)：
C08L 83/07
, C08L 83/05
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 33/48
C08L83/07
, C08L83/05
, H01L23/30 F
, H01L23/30 R
, H01L33/00 N
4J002CP042
, 4J002CP131
, 4J002CP133
, 4J002CP141
, 4J002CP143
, 4J002DA116
, 4J002DD076
, 4J002EZ006
, 4J002FD010
, 4J002FD146
, 4J002FD156
, 4J002FD200
, 4J002FD206
, 4J002GH00
, 4J002GJ01
, 4J002GQ05
, 4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA04
, 4M109CA10
, 4M109EA11
, 4M109EB02
, 4M109EB04
, 4M109EB07
, 4M109EB08
, 4M109EB12
, 4M109EB13
, 4M109EB14
, 4M109EC09
, 4M109EC11
, 4M109GA01
, 5F041AA43
, 5F041DA42
