特許

J-GLOBAL ID：201003069761982148

半導体装置の製造方法

発明者： 西村 隆雄
出願人/特許権者： 富士通セミコンダクター株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠彦 ,  山口 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-059988
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212628
出願日： 2009年03月12日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】 配線基板に搭載された複数の半導体素子を溶融樹脂により封止する際、金型のサイズを大きくすることなく、当該金型のキャビティの樹脂注入辺(樹脂注入ゲートが設けられている側の辺)と対向する辺の近傍に於いて、溶融樹脂の逆流(還流)によって半導体素子に接続されたボンディングワイヤのワイヤループが変形してしまうことを、防止・抑制する。【解決手段】 一方の主面に半導体素子31が搭載された配線基板30を、前記配線基板30の一方の主面に対応するキャビティが配設された樹脂封止用金型50内に配置する工程、及び 前記キャビティ内に封止用樹脂70を注入して、前記配線基板30の一方の主面を樹脂封止する工程を含む半導体装置の製造方法は、前記キャビティ内への封止用樹脂70の注入の際、前記配線基板30に選択的に配設された貫通孔41を介して、封止用樹脂70の一部を前記配線基板30の他方の主面側に導くことを特徴とする。【選択図】 図10

請求項（抜粋）：

一方の主面に半導体素子が搭載された配線基板を、前記配線基板の一方の主面に対応するキャビティが配設された樹脂封止用金型内に配置する工程、及び 前記キャビティ内に封止用樹脂を注入して、前記配線基板の一方の主面を樹脂封止する工程を含む半導体装置の製造方法に於いて、 前記キャビティ内への封止用樹脂の注入の際、前記配線基板に選択的に配設された貫通孔を介して、封止用樹脂の一部を前記配線基板の他方の主面側に導くことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L21/56 T ,  H01L23/12 501W

Fターム (5件)：

5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061DA06 ,  5F061DA07