特許

J-GLOBAL ID：201003070096840564

データストレージデバイスおよびデータストレージ方法

発明者： ラッセル・ポール・カウバーン ,  ドロテー・プティ ,  ダン・リード
出願人/特許権者： インジェニア・ホールディングス・(ユー・ケイ)・リミテッド
代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-506986
公開番号（公開出願番号）：特表2010-528455
出願日： 2008年03月31日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：

各データ担持ナノワイヤが、そのナノワイヤの全長に沿って複数の交差するナノワイヤを有して、磁壁ピン留めサイトを構成する交差接合部を形成する。データは、交差するナノワイヤとの整列と反整列の間で交番する磁界の作用の下で磁区を動かすことによって、各データ担持ナノワイヤを通って送られる。データは、上向きキラリティ横磁壁および下向きキラリティ横磁壁が、0および1を符号化するのに使用されて、磁壁のキラリティに符号化される。データは、事前定義されたキラリティの磁壁を有する磁区を核形成することができる適切な核形成磁界発生器を使用して、各ナノワイヤの中にクロック制御されて入れられる。データは、このキラリティを検知する適切な磁界センサを使用して、各ナノワイヤからクロック制御されて出される。

請求項（抜粋）：

磁性材料で作られて、第1の方向に延び、やはり磁性材料で作られて、第2の方向に延びる複数のデータクロッキングナノワイヤが交差して、交差接合部のネットワークを一緒になって形成する複数のデータ担持ナノワイヤと、 前記データ担持ナノワイヤのそれぞれのデータ読み込み部分に隣接して配置され、前記データ担持ナノワイヤにおいて所定のキラリティの磁壁を有する磁区を核形成するように動作可能であり、前記磁壁の前記キラリティは、記憶されるべきデータを符号化するデータ読み込み部と、 該データ担持磁壁がピン留めされている前記交差接合部から前記データ担持磁壁を解放し、該データ担持磁壁を、該データ担持磁壁が再びピン留めされる次の交差接合部に移動させることを相次いで行うことによって、1つの交差接合部から前記次の交差接合部に、前記データ担持ナノワイヤに沿って前記データ担持磁壁を移動させる役割をする、前記データクロッキングナノワイヤとの整列と反整列の間で交番するクロッキング磁界を生成するように動作可能な磁界源と、 前記データ担持ナノワイヤのそれぞれのデータ読み出し部分に隣接して配置され、前記データ読み出し部分において前記磁壁の前記キラリティを検知するように動作可能なデータ読み出し部とを含む磁気メモリデバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/06

FI (5件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/06 Z ,  G11C11/15 100

Fターム (31件)：

4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119BB07 ,  4M119BB20 ,  4M119CC10 ,  4M119DD01 ,  4M119DD22 ,  4M119DD23 ,  4M119DD52 ,  4M119GG01 ,  4M119KK09 ,  5F092AA12 ,  5F092AB06 ,  5F092AC02 ,  5F092AC04 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD26 ,  5F092BA02 ,  5F092BA06 ,  5F092BB04 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BB82 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43 ,  5F092BC48 ,  5F092BE27