積層型ZnO系単結晶シンチレータおよびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：小林浩 , 片山英二 , 井口司 , 鈴木康仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-135468
公開番号（公開出願番号）：特開2010-280826
出願日： 2009年06月04日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：

【課題】発光量を増加させた積層型ZnO系単結晶シンチレータおよびその製造方法を提供する。【解決手段】バンドギャップが異なるZnO系半導体の積層体を製造し、バンドギャップが小さい層をα線や電子線などの電離放射線が侵入できる厚みである5μm〜50μmにすることで、積層型ZnO系単結晶シンチレータ110の発光量を大幅に増加させる。ZnO系単結晶の組成は(Zn1-x-yMgxCdy)O[0≦x≦0.145、0≦y≦0.07]である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

バンドギャップが異なる2層以上のZnO系混晶体(Zn1-x-yMgxCdy)Oの積層体であり、バンドギャップがより小さいZnO系混晶体層が、電離放射線の照射面を有しかつ5μm〜50μmの厚みを有し、0≦x≦0.145、0≦y≦0.07であることを特徴とする、積層型ZnO系単結晶シンチレータ。

IPC (8件)：

C09K 11/00 , C30B 29/22 , C30B 19/02 , C30B 33/00 , G01T 1/20 , G01T 1/202 , C09K 11/54 , C09K 11/02

FI (8件)：

C09K11/00 E , C30B29/22 Z , C30B19/02 , C30B33/00 , G01T1/20 B , G01T1/202 , C09K11/54 , C09K11/02 A

Fターム (32件)：

2G088FF05 , 2G088FF06 , 2G088GG10 , 2G088JJ09 , 2G088JJ37 , 4G077AA03 , 4G077BC60 , 4G077CG02 , 4G077CG06 , 4G077EB01 , 4G077EC08 , 4G077ED06 , 4G077FG11 , 4G077FG17 , 4G077HA02 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA27 , 4G077QA36 , 4G077QA71 , 4H001CA08 , 4H001CF01 , 4H001XA01 , 4H001XA08 , 4H001XA09 , 4H001XA12 , 4H001XA13 , 4H001XA30 , 4H001XA31 , 4H001XA48 , 4H001XA49 , 4H001XA90

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