特許
J-GLOBAL ID：201003070687587930

半導体装置の電気的特性検査方法

発明者：
本郷 浩之

本郷 浩之 について

, 
三木 猛

三木 猛 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (2件)： 矢作 和行 ,  野々部 泰平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-239802
公開番号（公開出願番号）：特開2010-071809
出願日： 2008年09月18日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：
【課題】回路を構成する素子の発熱を利用しつつ、短時間の検査で精度良く不良を選別することができる半導体装置の電気的特性検査方法を提供する。【解決手段】半導体チップ上に形成された複数の素子によって回路が構成され、素子として、回路を構成する他の素子と電気的に接続され、回路における出力段に配置されたパワー系のスイッチング素子を有する半導体装置の電気的特性検査方法であって、回路に対し、通常動作時よりも高く、スイッチング素子の素子耐圧未満の電圧を印加することにより、スイッチング素子を発熱させるとともに回路の電気的特性を検査するようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体チップ上に形成された複数の素子によって回路が構成され、前記素子として、前記回路を構成する他の前記素子と電気的に接続され、前記回路における出力段に配置されたパワー系のスイッチング素子を有する半導体装置の電気的特性検査方法であって、 前記回路に対し、通常動作時よりも高く、前記スイッチング素子の素子耐圧未満の電圧を印加することにより、前記スイッチング素子を発熱させるとともに前記回路の電気的特性を検査することを特徴とする半導体装置の電気的特性検査方法。
IPC (1件)：
G01R 31/26
FI (2件)：
G01R31/26 B ,  G01R31/26 A
Fターム (8件)：
2G003AA01 ,  2G003AA02 ,  2G003AD06 ,  2G003AE06 ,  2G003AE09 ,  2G003AH01 ,  2G003AH04 ,  2G003AH05
引用特許：
出願人引用 (3件)

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