半導体装置およびそれを用いた電子機器ならびに半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：新居広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-006111
公開番号（公開出願番号）：特開2010-165804
出願日： 2009年01月14日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：

【課題】本発明は、半導体基板の凹部内に形成される構成要素を有する半導体装置において歩留の低下およびデバイスの信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置およびそれを用いた電子機器ならびに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置は、絶縁膜8および貫通電極6が形成される貫通孔7が形成された半導体基板1を備え、半導体基板1の貫通孔7は、深さ方向に徐々に開口径が小さくなる形状を有し、貫通孔7の内壁には、貫通孔7の開口端よりも開口径が小さい段が形成されている。【選択図】図3A

請求項（抜粋）：

表面に凹部が形成された半導体基板を備え、前記凹部は、深さ方向に徐々に開口径が小さくなる形状を有し、前記凹部の内壁には、前記凹部の開口端よりも開口径が小さい段が形成されている半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 27/14 , H01L 23/12 , H01L 31/10

FI (4件)：

H01L21/88 J , H01L27/14 D , H01L23/12 501P , H01L31/10 A

Fターム (45件)：

4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118CA32 , 4M118EA01 , 4M118GC07 , 4M118GD04 , 4M118HA02 , 4M118HA24 , 4M118HA30 , 4M118HA31 , 4M118HA33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033MM05 , 5F033MM30 , 5F033NN06 , 5F033NN31 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ14 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033QQ29 , 5F033QQ34 , 5F033QQ37 , 5F033SS11 , 5F033TT07 , 5F033VV07 , 5F033XX02 , 5F049NA20 , 5F049NB05 , 5F049PA14 , 5F049RA04 , 5F049RA10 , 5F049SS03 , 5F049SZ12 , 5F049SZ20 , 5F049WA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

国際公開第2005/022631号パンフレット

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