特許

J-GLOBAL ID：201003070845504380

III族窒化物結晶基板の製造方法

発明者： 箱守 明 ,  永島 徹 ,  高田 和哉
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-104464
公開番号（公開出願番号）：特開2010-254499
出願日： 2009年04月22日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：

【課題】破断、クラックおよび反りが防止されしかも大口径の、III族窒化物単結晶成長用のベース基板として有用なIII族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶基板としてIII族窒化物単結晶層より熱膨張係数が小さい、例えば単結晶シリコンを選択し、III族窒化物単結晶の成長部を単結晶基板の外周から少なくとも5mm以上内側の領域とし、III族窒化物結晶層の厚みが100μm以上となるように積層体を製造し、積層体を冷却して単結晶基板内部に亀裂を生じせしめてIII族窒化物結晶層を分離し、次いで分離したIII族窒化物結晶層に付着した単結晶基板をフッ硝酸などで溶解除去する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に、気相成長法によりIII族窒化物単結晶を成長させてIII族窒化物単結晶層を含むIII族窒化物結晶層を積層し、得られた積層体から該単結晶基板を除去することにより、III族窒化物結晶層よりなるIII族窒化物結晶基板を製造する方法において、 単結晶基板としてIII族窒化物単結晶層より熱膨張係数が小さい基板を選択し、 III族窒化物単結晶の成長部を単結晶基板の外周から少なくとも5mm以上内側の領域とし、 該III族窒化物結晶層の厚みが100μm以上となるように積層体を製造し、 該積層体を冷却して単結晶基板内部に亀裂を生じせしめてIII族窒化物結晶層を分離し、 次いで分離したIII族窒化物結晶層に付着した単結晶基板を除去することを特徴とするIII族窒化物結晶基板の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B29/38 C ,  C30B25/18 ,  C30B33/02 ,  H01L21/205

Fターム (20件)：

4G077AA02 ,  4G077BE13 ,  4G077DB04 ,  4G077ED06 ,  4G077FE11 ,  4G077FG05 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  5F045AA03 ,  5F045AB10 ,  5F045AB14 ,  5F045AF04 ,  5F045BB10