半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-017997
公開番号（公開出願番号）：特開2010-178026
出願日： 2009年01月29日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：

【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。【解決手段】TXシリーズトランジスタSE(TX),RXシリーズトランジスタSE(RX)およびRXシャントトランジスタSH(RX)を低耐圧MISFETQNから構成する一方、TXシャントトランジスタを高耐圧MISFETQHから構成する。これにより、TXシャントトランジスタSH(TX)を構成する高耐圧MISFETQHの直列接続数を少なくすることで、直列接続された各高耐圧MISFETQHに印加される電圧振幅の不均一性を抑制する。この結果、高次高調波の発生を抑制することができる。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

送信端子とアンテナ端子と受信端子とを有するアンテナスイッチを備え、前記アンテナスイッチは、 (a)前記送信端子と前記アンテナ端子との間に直列に複数個接続された第1MISFETと、 (b)前記受信端子と前記アンテナ端子との間に直列に複数個接続された第2MISFETと、 (c)前記送信端子とGND端子との間に直列に複数個接続された第3MISFETと、 (d)前記受信端子とGND端子との間に接続された第4MISFETとを有する半導体装置であって、前記第1MISFET、前記第2MISFETおよび前記第4MISFETは、低耐圧MISFETから構成される一方、前記第3MISFETは、前記低耐圧MISFETよりもソース領域とドレイン領域との間の耐圧が高い高耐圧MISFETから構成され、かつ、前記送信端子とGND端子との間に直列接続されている前記第3MISFETの個数は、前記受信端子と前記アンテナ端子との間に直列接続されている前記第2MISFETの個数よりも少ないことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H03K 17/00 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 29/786

FI (4件)：

H03K17/00 E , H01L27/08 331E , H01L27/08 102C , H01L29/78 613Z

Fターム (62件)：

5F048AA05 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB03 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BB16 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BC06 , 5F048BC20 , 5F048BD10 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG07 , 5F048DA25 , 5F110AA04 , 5F110AA26 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HK05 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HM15 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5J055AX11 , 5J055BX02 , 5J055CX03 , 5J055DX22 , 5J055DX72 , 5J055DX83 , 5J055EY01 , 5J055EY21 , 5J055FX05 , 5J055FX12 , 5J055FX17 , 5J055FX35 , 5J055GX01 , 5J055GX06

引用特許：

出願人引用 (4件)

高周波スイッチ回路及び高周波スイッチを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-171097 出願人：松下電器産業株式会社
高周波スイッチ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-106127 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
高周波スイッチ回路、高周波スイッチ装置、及び送信モジュール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-117119 出願人：松下電器産業株式会社

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