特許

J-GLOBAL ID：201003071616626117

パターン形成方法及びパターン形成装置

発明者： 小 林 祐 二 ,  小 柴 健
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-194884
公開番号（公開出願番号）：特開2010-030153
出願日： 2008年07月29日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：

【課題】ナノインプリントリソグラフィにおいて、同一のテンプレートを用いてパターンの寸法を任意に調整する。【解決手段】光硬化性又は熱硬化性の有機膜を被加工物上に塗布し、 複数の突起及び複数の溝によるパターンを有するテンプレートを前記有機膜に接触させて、前記パターンの転写パターンを前記有機膜に形成する、ナノインプリントリソグラフィを用いたパターン形成方法であって、 前記テンプレートと前記被加工物間の距離を制御することにより、前記有機膜の前記転写パターンにおける凹部の膜厚を調整し、 この後、前記転写パターンにおける前記凹部をテーパー形状又は逆テーパー形状にエッチングすることにより、前記テンプレートの前記突起の幅よりも狭い又は広い、所望のパターン寸法に調整された開口部を有するレジストパターンを形成する。【選択図】図3(a)

請求項（抜粋）：

光硬化性又は熱硬化性の有機膜を被加工物上に塗布し、 複数の突起及び複数の溝によるパターンを有するテンプレートを前記有機膜に接触させて、前記パターンの転写パターンを前記有機膜に形成する、ナノインプリントリソグラフィを用いたパターン形成方法であって、 前記テンプレートと前記被加工物間の距離を制御することにより、前記有機膜の前記転写パターンにおける凹部の膜厚を調整し、 この後、前記転写パターンにおける前記凹部をテーパー形状又は逆テーパー形状にエッチングすることにより、前記テンプレートの前記突起の幅よりも狭い又は広い、所望のパターン寸法に調整された開口部を有するレジストパターンを形成する、 ことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (1件)：

B29C 33/38

FI (1件)：

B29C33/38

Fターム (8件)：

4F202AA44 ,  4F202AF01 ,  4F202CA19 ,  4F202CD02 ,  4F202CD22 ,  4F202CD24 ,  4F202CD30 ,  4F202CK43

引用特許：

出願人引用 (1件)

• パタ-ン形成方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-370629   出願人：富士通株式会社