特許
J-GLOBAL ID:201003071682215292

酸化物超電導薄膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 上代 哲司 ,  神野 直美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-212082
公開番号(公開出願番号):特開2010-049891
出願日: 2008年08月20日
公開日(公表日): 2010年03月04日
要約:
【課題】基板からの結晶成長を進行させることを可能とし、その結果、高Jcの厚膜化ができ、再現良く高Ic値を得ることができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜を、フッ素を含まない金属有機化合物を原料とし、塗布熱分解法により製造する方法であって、結晶化熱処理のための本焼熱処理の前に、本焼熱処理を施す薄膜に含まれる炭酸塩を分解する中間熱処理を行う。前記中間熱処理は、二酸化炭素濃度が10ppm以下の雰囲気中で行う。前記金属有機化合物は、βジケトン錯体を含む金属有機化合物である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜を、フッ素を含まない金属有機化合物を原料とし、塗布熱分解法により製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、結晶化熱処理のための本焼熱処理の前に、前記本焼熱処理を施す薄膜に含まれる炭酸塩を分解する中間熱処理を行うことを特徴とする酸化物超電導薄膜の製造方法。
IPC (1件):
H01B 13/00
FI (1件):
H01B13/00 565D
Fターム (6件):
5G321AA04 ,  5G321BA01 ,  5G321CA24 ,  5G321DB22 ,  5G321DB46 ,  5G321DB47
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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