レジスト処理方法及びポジ型レジスト組成物の使用

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-207588
公開番号（公開出願番号）：特開2010-092034
出願日： 2009年09月09日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：

【課題】マルチパターニング法において、1回目のレジストパターン形成用のレジスト組成物によって得られたパターンを、極微細に、かつ精度良く形成するレジスト処理方法を提供する。【解決手段】式(XX)の構造単位を含み、酸に不安定な基を有する樹脂(A)、光酸発生剤(B)及び架橋剤(C)を含む第1のレジスト組成物を基体上に塗布・乾燥し、これをプリベークし、露光処理し、ポストエクスポージャーベークし、現像して第1のレジストパターンを得、これをハードベークし、この上に第2のレジスト組成物を塗布し、乾燥し、これをプリベークし、露光処理し、ポストエクスポージャーベークし、現像して第2のレジストパターンを得る工程を含むレジスト処理方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(1)式(XX)で表される構造単位を含み、酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂(A)及び光酸発生剤を含有する第1のレジスト組成物を、基体上に塗布し、乾燥して第1のレジスト膜を得る工程、 (2)第1のレジスト膜をプリベークする工程、 (3)第1のレジスト膜を露光処理する工程、 (4)第1のレジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程、 (5)第1のアルカリ現像液で現像して第1のレジストパターンを得る工程、 (6)第1のレジストパターンをハードベークする工程、 (7)第1のレジストパターンの上に、第2のレジスト組成物を塗布し、乾燥して第2のレジスト膜を得る工程、 (8)第2のレジスト膜をプリベークする工程、 (9)第2のレジスト膜を露光処理する工程、 (10)第2のレジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程、及び、 (11)第2のアルカリ現像液で現像して第2のレジストパターンを得る工程、を含むレジスト処理方法。

IPC (6件)：

G03F 7/40 , G03F 7/004 , G03F 7/039 , H01L 21/027 , C08F 20/58 , C08F 20/36

FI (9件)：

G03F7/40 511 , G03F7/40 501 , G03F7/004 501 , G03F7/004 503A , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R , H01L21/30 514A , C08F20/58 , C08F20/36

Fターム (53件)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096HA01 , 2H096HA05 , 2H125AE04P , 2H125AF17P , 2H125AF38P , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AH29 , 2H125AJ14X , 2H125AJ52X , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ69X , 2H125AN31P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN45P , 2H125AN54P , 2H125AN62P , 2H125AN65P , 2H125BA02P , 2H125BA22P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125FA18 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100AM21T , 4J100BA03S , 4J100BA05T , 4J100BA11Q , 4J100BA11S , 4J100BA15S , 4J100BC04R , 4J100BC09P , 4J100BC09S , 4J100BC53Q , 4J100BC53S , 4J100CA03 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100FA03 , 4J100FA19 , 4J100JA38 , 5F046AA13

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