特許
J-GLOBAL ID:201003072788189866
双方向スイッチのゲート駆動方法およびそれを用いた電力変換装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-162920
公開番号(公開出願番号):特開2010-004697
出願日: 2008年06月23日
公開日(公表日): 2010年01月07日
要約:
【課題】コンバータ等に適用される半導体デバイスとして2つのゲート端子を有する双方向デバイスを適用した場合に、誘導負荷からの還流電流を通流する制御をおこないかつ制御の簡素化、および低コスト化を実現させる。【解決手段】第一ゲート端子2、第二ゲート端子3、ドレイン端子4、ソース端子5を備え、第一ゲート端子2、第二ゲート端子3を各オンオフすることで4つの動作モードを有する双方向スイッチ1に適用する駆動方法であり、第一ゲート端子2あるいは第二ゲート端子3の何れか一方を常時オン状態となるように制御し、還流電流を流す経路を確保しつつ、ダイオード損失を低減し、かつ2つのゲート信号数を減らし、簡易な回路構成、かつ低コストにコンバータ回路を実現することができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板の上に形成されたチャネルを有する半導体層積層体と、前記半導体層積層体の上に互いに間隔をおいて形成された第1のオーミック電極及び第2のオーミック電極と、前記第1のオーミック電極と前記第2のオーミック電極との間に、前記第1のオーミック電極側から順に形成された、第1のゲート電極及び第2のゲート電極と、前記半導体層積層体と第1のゲート電極との間に形成された第1のp型半導体層と、前記半導体層積層体と第2のゲート電極との間に形成された第2のp型半導体とを有し、前記第1のオーミック電極と前記第1のゲート電極との間にゲート駆動信号を入力する第一ゲート端子と、前記第2のオーミック電極と前記第2のゲート電極との間にゲート駆動信号を入力する第二ゲート端子と、前記第1のオーミック電極に接続されたドレイン端子と、前記第2のオーミック電極に接続されたソース端子を備え、前記第一ゲート端子のみをオンすると、前記ドレイン端子から前記ソース端子間に向けてオン状態の双方向デバイスと逆方向ダイオードが直列接続された半導体として動作する第一モード、前記第二ゲート端子のみをオンすると、前記ドレイン端子から前記ソース端子間に向けて順方向ダイオードとオン状態の双方向デバイスが直列接続された半導体として動作する第二モード、前記第一ゲート端子および前記第二ゲート端子をオンすると、前記ドレイン端子から前記ソース端子間にダイオードを介さない双方向に導通するように動作する第三モード、前記第一ゲート端子および前記第二ゲート端子をオフすると順逆双方向に電流を遮断する第四モードを有した双方向スイッチを二個直列に接続したブリッジ回路を少なくとも2対以上並列に接続した単相用あるいは三相用のコンバータであって、前記双方向スイッチの前記第一ゲート端子は常時オン状態となるように制御する制御手段を備えた双方向スイッチのゲート駆動方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (17件):
5H006AA05
, 5H006CA02
, 5H006CA12
, 5H006CA13
, 5H006CB01
, 5H006CB08
, 5H006DA04
, 5H006DB01
, 5H740AA04
, 5H740BA12
, 5H740BB05
, 5H740BB07
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740JA01
, 5H740JB01
, 5H740KK01
引用特許:
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