特許
J-GLOBAL ID：201003072934474470
半導体装置、積層半導体装置および積層半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
龍華 明裕
, 飯山 和俊
, 明石 英也
, 林 茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-283668
公開番号（公開出願番号）：特開2010-114165
出願日： 2008年11月04日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：
【課題】TSVを有するSOI基板を積層する場合に余分な圧力を加えることなく、少ない圧力で確実にバンプ間を接合する。【解決手段】絶縁層および絶縁層に接して形成されたSOI層を有する基板と、基板の表面および裏面の間を貫通する貫通孔と、貫通孔に形成された、表面および裏面の間を電気的に結合する貫通結合部と、表面または裏面における貫通結合部の端部を露出する窪み部と、貫通結合部の端部に接して窪み部に形成された、他の基板と電気的に接触する部材となる接触部材と、を備えた半導体装置を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁層および前記絶縁層に接して形成されたSOI層を有する基板と、
前記基板の表面および裏面の間を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔に形成された、前記表面および前記裏面の間を電気的に結合する貫通結合部と、
前記表面または前記裏面における前記貫通結合部の端部を露出する窪み部と、
前記貫通結合部の前記端部に接して前記窪み部に形成された、他の基板と電気的に接触する部材となる接触部材と、
を備えた半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/12
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/60
H01L23/12 501P
, H01L25/08 Z
, H01L21/60 311Q
, H01L21/92 602M
5F044KK05
, 5F044LL01
, 5F044QQ07
, 5F044RR02
