特許
J-GLOBAL ID：201003074243168112
荷電粒子線描画装置およびデバイス製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
阿部 琢磨
, 黒岩 創吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-134399
公開番号（公開出願番号）：特開2010-282799
出願日： 2009年06月03日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：
【課題】 複合型電磁界レンズにおいて投影レンズの収差を抑制する荷電粒子線描画装置を提供する。【解決手段】 荷電粒子線を投影する投影系を有し、投影された荷電粒子線で基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、投影系は、磁場を発生する対称型磁気ダブレットレンズと、対称型磁気ダブレットレンズが発生する磁場の中に電場を発生する静電レンズとを備え、静電レンズは、物体面側に配置された第1円筒電極と、像面側に配置された第3円筒電極と、第1円筒電極と第3円筒電極との間に配置された第2円筒電極と、を含み、第1円筒電極および第3円筒電極には、基板の電位と同一の電位を与え、第2円筒電極には、対称型磁気ダブレットレンズの瞳面に入射する荷電粒子線を加速する電位を与え、第2円筒電極は、対称型磁気ダブレットレンズの光軸の方向に分割された2つの円筒電極を含む、ことを特徴とする荷電粒子線描画装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
荷電粒子線を投影する投影系を有し、投影された荷電粒子線で基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記投影系は、磁場を発生する対称型磁気ダブレットレンズと、前記対称型磁気ダブレットレンズが発生する磁場の中に電場を発生する静電レンズとを備え、
前記静電レンズは、
物面側に配置された第1円筒電極と、
像面側に配置された第3円筒電極と、
前記第1円筒電極と前記第3円筒電極との間に配置された第2円筒電極と、
を含み、
前記第1円筒電極および前記第3円筒電極には、前記基板の電位と同一の電位を与え、前記第2円筒電極には、前記対称型磁気ダブレットレンズの瞳面に入射する荷電粒子線を加速する電位を与え、
前記第2円筒電極は、前記対称型磁気ダブレットレンズの光軸の方向に分割された2つの円筒電極を含む、
ことを特徴とする荷電粒子線描画装置。
IPC (4件)：
H01J 37/153
, H01L 21/027
, H01J 37/145
, H01J 37/305
H01J37/153 Z
, H01L21/30 541B
, H01J37/145
, H01J37/305 B
5C033JJ01
, 5C033JJ07
, 5C034BB02
, 5C034BB08
, 5F056AA01
, 5F056EA05
, 5F056EA08
