特許
J-GLOBAL ID:201003074323355452
微細構造を有する高分子薄膜およびパターン基板の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
井上 学
, 戸田 裕二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-218958
公開番号(公開出願番号):特開2010-056256
出願日: 2008年08月28日
公開日(公表日): 2010年03月11日
要約:
【課題】 化学的レジストレーション法を用いて、高分子ブロック共重合体のミクロドメインの固有周期doとは異なる任意のパターン配置あるいは間隔でミクロドメイン構造を形成可能な微細構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 第1セグメントおよび第2セグメントを有する高分子ブロック共重合体組成物を含む高分子層を基板表面に配置する第1段階と、前記高分子層をミクロ相分離させ、前記第1セグメントを主成分とする柱状ミクロドメインと前記第2セグメントを主成分とする連続相とから形成される構造を発現させる第2段階とを有する微細構造体の製造方法において、前記基板表面は化学的なパターンが施され、前記第1段階で配置する前記高分子薄膜の膜厚tと、前記高分子ブロック共重合体が形成するミクロドメインの固有周期doが、(m+0.8)×do<t<(m+1.2)×do mは0以上の整数の関係を有することを特徴とする。【選択図】図2
請求項(抜粋):
少なくとも第1セグメントおよび第2セグメントを有する高分子ブロック共重合体を含む高分子層を基板表面に配置する第1段階と、
前記高分子層を相分離させ、前記第1セグメントを主成分とするミクロドメインと前記第2セグメントを主成分とするミクロドメインとから形成される構造を発現させる第2段階と、
を有する微細構造体の製造方法において、
前記基板表面は、前記第1セグメントとの界面張力が、前記第2セグメントとの界面張力より大きいか又は略等しく前記基板表面に離散的に配置された第1のパターン部材と、前記第1セグメントとの界面張力が、前記第2セグメントとの界面張力より小さい第2のパターン部材とを有し、
前記第1段階で配置する前記高分子薄膜の膜厚tと、前記高分子ブロック共重合体が形成するミクロドメインの固有周期doの関係が、
(m+0.8)×do<t<(m+1.2)×do
であり、mが0以上の整数であることを特徴とする微細構造体の製造方法。
IPC (5件):
H05K 3/06
, C08J 5/18
, B05D 5/00
, B05D 7/00
, B82B 1/00
FI (6件):
H05K3/06 E
, C08J5/18
, B05D5/00 Z
, B05D7/00 H
, H05K3/06 H
, B82B1/00
Fターム (24件):
4D075BB66Z
, 4D075CA36
, 4D075CA37
, 4D075DA06
, 4D075DC21
, 4F071AA22X
, 4F071AA33X
, 4F071AA75
, 4F071AA81
, 4F071AF11Y
, 4F071AH13
, 4F071BC01
, 5E339BE11
, 5E339CC10
, 5E339CD01
, 5E339CE11
, 5E339CE19
, 5E339CF20
, 5E339CG04
, 5E339GG02
, 5F004AA09
, 5F004DA26
, 5F004DB23
, 5F004EA38
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
USP6,746,825,B2
-
USP6,926,953,B2
審査官引用 (6件)
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