特許

J-GLOBAL ID：201003074828147234

撮像装置

発明者： 能勢 悠吾 ,  谷 邦之
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-198520
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040572
出願日： 2008年07月31日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

【課題】さらなる感度の向上を図ることが可能な撮像装置を提供する。【解決手段】このCMOSイメージセンサ(撮像装置)は、電子を生成するPD部11と、PD部11により生成された電子を増倍するための電子増倍部12aと、PD部11の外縁部のうち、電子の転送方向(X方向)に沿って延びる短辺11bの近傍に形成された第1遮光部分5aと、PD部11に対して電子増倍部12aが配置される側とは反対側に設けられたPDグローバルリセット配線5とを備える。また、第1遮光部分5aは、PDグローバルリセット配線5と一体的に形成されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

電荷を生成する電荷生成部と、 前記電荷生成部により生成された電荷を増加するための電荷増加部と、 前記電荷生成部の外縁部のうち、電荷の転送方向に沿って延びる辺の近傍に形成された第1遮光部分と、 前記電荷生成部に対して前記電荷増加部が配置される側とは反対側に設けられた信号配線とを備え、 前記第1遮光部分は、前記信号配線と一体的に形成されている、撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L27/14 A ,  H01L27/14 D

Fターム (15件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA19 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  4M118FA50 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB17 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-332509   出願人：三洋電機株式会社