特許

J-GLOBAL ID：201003075741799037

半導体装置の製造方法

発明者： 浦野 裕一
出願人/特許権者： 富士電機システムズ株式会社
代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-023833
公開番号（公開出願番号）：特開2010-182807
出願日： 2009年02月04日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：

【課題】半導体基板の一方の面側にめっき処理をおこなう際に、めっき液の汚染を防ぎ、他方の面側に不均一なめっき層が析出するのを防ぎながら、一方の面側に低いコストで安定しためっき層を形成する。【解決手段】半導体基板に上の一方の面に電極を形成し、他方の面に電極を形成し、他方の面の電極上に硬化型樹脂を塗布し、硬化型樹脂上にフィルムを貼り付けて硬化型樹脂を硬化させる。そのあと一方の面の電極上にめっき処理行い、めっき処理後、フィルムを硬化型樹脂とともに剥離する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に半導体素子を形成する素子形成工程と、 第1の主面に第1の電極を形成する工程と、 第2の主面に第2の電極を形成する工程と、 前記第2の電極上に硬化型樹脂を塗布する工程と、 前記硬化型樹脂上にフィルムを貼り付ける工程と、 前記フィルムを貼り付けた後、前記硬化型樹脂を硬化させる工程と、 前記第1の電極上にめっき処理を施す工程と、 前記めっき処理後、前記フィルムを前記硬化型樹脂とともに前記第2の電極から剥離する工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/288 ,  H01L 21/60 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/41 ,  C25D 7/12 ,  C23C 18/16

FI (10件)：

H01L21/288 E ,  H01L21/92 604R ,  H01L29/78 655Z ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 658Z ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/44 L ,  H01L29/78 658K ,  C25D7/12 ,  C23C18/16 B

Fターム (28件)：

4K022AA05 ,  4K022BA14 ,  4K022DA01 ,  4K024AA03 ,  4K024AA11 ,  4K024AB02 ,  4K024AB15 ,  4K024BA15 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024DA09 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  4M104BB03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104DD23 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  4M104HH04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-291396   出願人：株式会社デンソー
• 特開平4-268090
  
• 特開昭53-075760