特許

J-GLOBAL ID：201003075798312525

半導体レーザ素子

発明者： 岡本 國美 ,  久保田 将司 ,  田中 岳利 ,  柏木 淳一 ,  田中 良宜
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  皆川 祐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-021952
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177651
出願日： 2009年02月02日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：

【課題】非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて低閾値電流を実現し、かつ、発光効率が向上された半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体レーザダイオードは、基板1と、この基板1上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造2とを含む。基板1は、m面を主面としたGaN単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造2は、p型クラッド層18およびn型クラッド層14と、これらに挟まれたp型ガイド層16およびn型ガイド層15と、これらに挟まれたInを含む活性層10とを備えた半導体レーザダイオード構造を有している。p型ガイド層16およびn型ガイド層15は、それぞれ、活性層10に近づくほどIn組成が大きくなっている。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

非極性面または半極性面を成長主面とするIII族窒化物半導体からなる半導体レーザダイオード構造を有する半導体レーザ素子であって、 前記半導体レーザダイオード構造が、 p型クラッド層およびn型クラッド層と、 前記p型クラッド層およびn型クラッド層に挟まれたp型ガイド層およびn型ガイド層と、 前記p型ガイド層およびn型ガイド層に挟まれ、Inを含む活性層とを備え、 前記p型ガイド層およびn型ガイド層は、それぞれ、前記活性層に近づくほどIn組成が大きくなっている、 半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S 5/343

FI (1件)：

H01S5/343 610

Fターム (15件)：

5F173AA08 ,  5F173AF43 ,  5F173AF44 ,  5F173AF52 ,  5F173AF55 ,  5F173AH22 ,  5F173AP06 ,  5F173AP24 ,  5F173AR03 ,  5F173AR23 ,  5F173AR25 ,  5F173AR26 ,  5F173AR53 ,  5F173AR82 ,  5F173AR84

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-279913   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-368718   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-040074   出願人：ローム株式会社
• 半導体レーザダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-031306   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-170421   出願人：松下電器産業株式会社
• III-V族窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-019651   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-281118   出願人：ローム株式会社